现在，三星已经开始大规模生产3D NAND闪存芯片，相应的TLC Die容量是128Gb，或16GB。三星3D NAND闪存芯片有32层，三星声称这种设计将倍增晶圆生产力。三星之前的平面NAND闪存芯片只有单层设计，采用19纳米工艺，三星3D NAND闪存芯片采用40纳米工艺。

虽然新闻稿没有提到850 EVO的名字，但是三星高级副总裁Jaesoon Han 表示，三星将拿出全新高密度固态硬盘，有性能和价值两大产品线。三星3D NAND闪存芯片16GB容量，将让三星拿出高至1TB容量的固态硬盘。