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三星开始大规模生产3D NAND闪存芯片

2014-10-09 23:26:00      点击:

我们在三星7月份的SSD全球峰会上已经知道三星3D NAND芯片一些细节,8月份的闪存峰会期间,三星表示,即将开始生产这种3D NAND闪存芯片,并且将推出采用这种3D NAND闪存芯片的850 EVO SSD固态硬盘。

现在,三星已经开始大规模生产3D NAND闪存芯片,相应的TLC Die容量是128Gb,或16GB。三星3D NAND闪存芯片有32层,三星声称这种设计将倍增晶圆生产力。三星之前的平面NAND闪存芯片只有单层设计,采用19纳米工艺,三星3D NAND闪存芯片采用40纳米工艺。

虽然新闻稿没有提到850 EVO的名字,但是三星高级副总裁Jaesoon Han 表示,三星将拿出全新高密度固态硬盘,有性能和价值两大产品线。三星3D NAND闪存芯片16GB容量,将让三星拿出高至1TB容量的固态硬盘。